考虑晶粒尺寸效应的超薄(10–50 nm) Cu电阻率模型研究
物理学报
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (1): 016802     doi:10.7498/aps.61.016802
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考虑晶粒尺寸效应的超薄(10–50 nm) Cu电阻率模型研究
王宁, 董刚, 杨银堂, 陈斌, 王凤娟, 张岩
西安电子科技大学微电子所, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
Study of the grain size effects on electrical resistivity model for ultrathin (10-50 nm) Cu films
Wang Ning, Dong Gang, Yang Yin-Tang, Chen Bin, Wang Feng-Juan, Zhang Yan
Key Laboratory of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Microelectronics Institute, Xidian University, Xian 710071, China

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