Tm<sub>2</sub>O<sub>3</sub>相对于Si的能带偏移研究
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (1): 017702     doi:10.7498/aps.61.017702
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Tm2O3相对于Si的能带偏移研究
汪建军1 2, 方泽波2, 冀婷3, 朱燕艳3, 任维义1, 张志娇1
1. 西华师范大学物理与电子信息学院, 南充 637002;
2. 绍兴文理学院物理系, 绍兴 312000;
3. 复旦大学应用表面物理国家重点实验室, 上海 200433
Band shifts of Tm2O3 films epitaxially grown on Si substrates
Wang Jian-Jun1 2, Fang Ze-Bo2, Ji Ting3, Zhu Yan-Yan3, Ren Wei-Yi1, Zhang Zhi-Jiao1
1. College of Physics and Electronic Information, China West Normal University, Nanchong 637002, China;
2. Department of Physics, Shaoxing University, Shaoxing 312000, China;
3. Surface Physics Laboratory (National Key Laboratory), Fudan University, Shanghai 200433, China

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