GaN/Al<sub><i>x</i></sub>Ga<sub>1-<i>x</i></sub>N异质结二维电子气的磁电阻研究
物理学报
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (23): 237302     doi:10.7498/aps.61.237302
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GaN/AlxGa1-xN异质结二维电子气的磁电阻研究
王威1 2, 周文政1 2 3, 韦尚江1, 李小娟1, 常志刚1, 林铁2, 商丽燕3, 韩奎4, 段俊熙4, 唐宁4, 沈波4, 褚君浩2 3
1. 广西大学物理科学与工程技术学院, 南宁 530004;
2. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室, 上海 200083;
3. 华东师范大学信息科学与技术学院极化材料与器件教育部重点实验室, 上海 200241;
4. 北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室, 北京 100871
Magneto-resistance for two-dimensional electron gas in GaN/AlxGa1-xN heterostructure
Wang Wei1 2, Zhou Wen-Zheng1 2 3, Wei Shang-Jiang1, Li Xiao-Juan1, Chang Zhi-Gang1, Lin Tie2, Shang Li-Yan3, Han Kui4, Duan Jun-Xi4, Tang Ning4, Shen Bo4, Chu Jun-Hao2 3
1. College of Physics Science and Technology, Guangxi University, Nanning 530004, China;
2. National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China;
3. Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, East China Normal University, Shanghai 200241, China;
4. State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China

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