衬底温度对反应磁控溅射W掺杂ZnO薄膜的微观结构及光电性能的影响
物理学报
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (23): 238101     doi:10.7498/aps.61.238101
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衬底温度对反应磁控溅射W掺杂ZnO薄膜的微观结构及光电性能的影响
张翅, 陈新亮, 王斐, 闫聪博, 黄茜, 赵颖, 张晓丹, 耿新华
南开大学,光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室, 光电信息技术科学教育部重点实验室, 天津 300071
Temperature-dependant growth and properties of W-doped ZnO thin films deposited by reactive magnetron sputtering
Zhang Chi, Chen Xin-Liang, Wang Fei, Yan Cong-Bo, Huang Qian, Zhao Ying, Zhang Xiao-Dan, Geng Xin-Hua
Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology, Tianjin Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology, Tianjin Key Laboratory of Opto-Electronic Information Science and Technology for Ministry of Education, Nankai University, Tianjin 300071, China

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