反位缺陷对碳化硅纳米管电子结构和光学性质影响研究
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2012, Vol. 61 Issue (23): 237301     doi:10.7498/aps.61.237301
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 过刊浏览| 高级检索     
反位缺陷对碳化硅纳米管电子结构和光学性质影响研究
宋久旭1 2, 杨银堂3, 郭立新1, 王平1, 张志勇4
1. 西安电子科技大学 理学院, 西安 710071;
2. 西安石油大学 电子工程学院,西安 710065;
3. 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学 微电子学院, 西安 710071;
4. 西北大学 信息科学与技术学院,西安 710127
Investigation on influence of antisite defects on electronic structure and optical properties of silicon carbide nanotube
Song Jiu-Xu1 2, Yang Yin-Tang3, Guo Li-Xin1, Wang Ping1, Zhang Zhi-Yong4
1. School of Science, Xidian University, Xi’an 710071, China;
2. School of Electronic Engineering, Xi’an Shiyou University, Xi’an 710065, China;
3. Key Laboratory of Ministry of Education for Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China;
4. Information Science and Technology Institution, Northwest University, Xi’an 710127, China

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn