二氧化钒薄膜低温制备及其太赫兹调制特性研究
物理学报
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物理学报  2013, Vol. 62 Issue (1): 017202     doi:10.7498/aps.62.017202
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二氧化钒薄膜低温制备及其太赫兹调制特性研究
孙丹丹1, 陈智2, 文岐业1, 邱东鸿1, 赖伟恩1, 董凯1, 赵碧辉1, 张怀武1
1. 电子科技大学, 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054;
2. 电子科技大学, 通信抗干扰技术国家重点实验室, 成都 610054
VO2 low temperature deposition and terahertz transmission modulation
Sun Dan-Dan1, Chen Zhi2, Wen Qi-Ye1, Qiu Dong-Hong1, Lai Wei-En1, Dong Kai1, Zhao Bi-Hui1, Zhang Huai-Wu1
1. State Key Laboratory of Electronic Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China;
2. National Key Laboratory of Science and Technology on Communication, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China

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