物理学报
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物理学报  2013, Vol. 62 Issue (3): .      DOI: 10.7498/aps.62.038501
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退火工艺对LaTiON和HfLaON存储层金属-氧化物-氮化物-氧化物-硅存储器特性的影响
朱剑云, 刘璐, 李育强, 徐静平
华中科技大学, 光学与电子信息学院, 武汉 430074
Effect of annealing atmosphere on characteristics of MONOS with LaTiON or HfLaON as charge storage layer
Zhu Jian-Yun, Liu Lu, Li Yu-Qiang, Xu Jing-Ping
School of optical and electronic information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China


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