应变Si NMOS积累区电容特性研究
物理学报
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物理学报  2013, Vol. 62 Issue (5): 057103     doi:10.7498/aps.62.057103
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应变Si NMOS积累区电容特性研究
王斌, 张鹤鸣, 胡辉勇, 张玉明, 舒斌, 周春宇, 李妤晨, 吕懿
西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071
Research on the capacitance-voltage characteristic of strained-silicon NMOS accumulation capacitor
Wang Bin, Zhang He-Ming, Hu Hui-Yong, Zhang Yu-Ming, Shu Bin, Zhou Chun-Yu, Li Yu-Chen, Lü Yi
Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China

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