搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

总剂量辐照效应对窄沟道SOI NMOSFET器件的影响

宁冰旭 胡志远 张正选 毕大炜 黄辉祥 戴若凡 张彦伟 邹世昌

引用本文:
Citation:

总剂量辐照效应对窄沟道SOI NMOSFET器件的影响

宁冰旭, 胡志远, 张正选, 毕大炜, 黄辉祥, 戴若凡, 张彦伟, 邹世昌

Effects of total ionizing dose on narrow-channel SOI NMOSFETs

Ning Bing-Xu, Hu Zhi-Yuan, Zhang Zheng-Xuan, Bi Da-Wei, Huang Hui-Xiang, Dai Ruo-Fan, Zhang Yan-Wei, Zou Shi-Chang
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  5534
  • PDF下载量:  826
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2012-10-10
  • 修回日期:  2012-10-29
  • 刊出日期:  2013-04-05

/

返回文章
返回