超短沟道MOSFET电势的二维半解析模型
物理学报
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物理学报  2013, Vol. 62 Issue (9): 098502     doi:10.7498/aps.62.098502
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超短沟道MOSFET电势的二维半解析模型
韩名君1 2, 柯导明1, 迟晓丽1, 王敏1, 王保童1
1. 安徽大学电子信息工程学院, 合肥 230061;
2. 芜湖职业技术学院电子信息工程系, 芜湖 241000
A 2D semi-analytical model for the potential distribution of ultra-short channel MOSFET
Han Ming-Jun1 2, Ke Dao-Ming1, Chi Xiao-Li1, Wang Min1, Wang Bao-Tong1
1. Institute of Electronics and Information, Anhui University, Hefei 230601, China;
2. Department of Electronics and Information, Wuhu Institute of Technology, Wuhu 241000, China

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