单Halo全耗尽应变Si 绝缘硅金属氧化物半导体场效应管的阈值电压解析模型
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物理学报  2013, Vol. 62 Issue (10): 108501     doi:10.7498/aps.62.108501
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单Halo全耗尽应变Si 绝缘硅金属氧化物半导体场效应管的阈值电压解析模型
辛艳辉, 刘红侠, 范小娇, 卓青青
西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
Threshold voltage analytical model of fully depleted strained Si single Halo silicon-on-insulator metal-oxide semiconductor field effect transistor
Xin Yan-Hui, Liu Hong-Xia, Fan Xiao-Jiao, Zhuo Qing-Qing
Key Laboratory for Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices of Education, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China

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