Ga)之间不存在必然的联系, 各激子发光峰位置没有改变, 仅强度随质子注量发生变化; 样品(0002)面双晶XRD扫描曲线的半峰宽在辐照后明显增大, 说明质子辐照对晶格的周期性产生了影响, 薄膜晶体质量下降."/>             GaN厚膜中的质子辐照诱生缺陷研究
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物理学报  2013, Vol. 62 Issue (11): 117103     doi:10.7498/aps.62.117103
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GaN厚膜中的质子辐照诱生缺陷研究
张明兰1 2, 杨瑞霞1, 李卓昕3, 曹兴忠3, 王宝义3, 王晓晖2
1. 河北工业大学信息工程学院, 天津 300401;
2. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室, 北京 100083;
3. 中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室, 北京 100049
Study on proton irradiation induced defects in GaN thick film
Zhang Ming-Lan1 2, Yang Rui-Xia1, Li Zhuo-Xin3, Cao Xing-Zhong3, Wang Bao-Yi3, Wang Xiao-Hui2
1. Colleage of Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300401, China;
2. Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;
3. Key Laboratory of Nuclear Analysis Techniques, Institute of High Energy Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China

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