In掺杂氮化亚铜薄膜的电学、光学和结构特性研究
物理学报
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物理学报  2013, Vol. 62 Issue (11): 118104     doi:10.7498/aps.62.118104
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In掺杂氮化亚铜薄膜的电学、光学和结构特性研究
杜允1 2, 鲁年鹏2, 杨虎3, 叶满萍4, 李超荣3
1. 杭州电子科技大学信息工程学院, 杭州 310018;
2. 中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验, 北京 100190;
3. 浙江理工大学理学院, 杭州 310018;
4. 中国计量学院光学与电子科技学院, 杭州 310018
Electrical, optical properties and structure characterization of In-doped copper nitride thin film
Du Yun1 2, Lu Nian-Peng2, Yang Hu3, Ye Man-Ping4, Li Chao-Rong3
1. Information Engineering School, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, China;
2. State Key Laboratory for Surface Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China;
3. School of Sciences, Zhejiang Sec-Tech of University, Hangzhou 310018, China;
4. College of Optical and Electronic Technology, China Jiliang University, Hangzhou 310018, China

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