高压退火对0.65PMN-0.35PT薄膜结构、形貌及电学性能的影响
物理学报
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物理学报  2013, Vol. 62 Issue (13): 130704     doi:10.7498/aps.62.130704
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高压退火对0.65PMN-0.35PT薄膜结构、形貌及电学性能的影响
郭红力1, 杨焕银1, 唐焕芳1, 侯海军2, 郑勇林1, 朱建国3
1. 长江师范学院, 凝聚态物理研究所, 重庆 408100;
2. 盐城工学院, 材料科学与工程学院, 盐城 224051;
3. 四川大学, 材料科学与工程学院, 成都 610064
Effects of high pressure annealing technique on the structure, morphology and electric properties of 0.65PMN-0.35PT thin films
Guo Hong-Li1, Yang Huan-Yin1, Tang Huan-Fang1, Hou Hai-Jun2, Zheng Yong-Lin1, Zhu Jian-Guo3
1. The Institute of Condensed Matter Physics, Yangtze Normal University, Chongqing 408100, China;
2. School of Materials Engineering, Yancheng Institute of Technology, Jiangsu 224051, China;
3. College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064, China

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