PECVD分层结构对提高氢化非晶硅TFT迁移率的影响
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物理学报  2013, Vol. 62 Issue (13): 138501     doi:10.7498/aps.62.138501
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PECVD分层结构对提高氢化非晶硅TFT迁移率的影响
于遥1, 张晶思2, 陈黛黛1, 郭睿倩1, 谷至华1
1. 复旦大学先进材料实验室, 平板显示中心, 上海 200433;
2. 中航技显示公司, 上海 201100
Improving the mobility of the amorphous silicon TFT with the new stratified structure by PECVD
Yu Yao1, Zhang Jing-Si2, Chen Dai-Dai1, Guo Rui-Qian1, Gu Zhi-Hua1
1. Flat Panel Display Center of Laboratory of Advanced Materials, Fudan University, Shanghai 200433, China;
2. CATIC display company, Shanghai 201100, China

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