1MeV Si<sup>+</sup>衬底加温注入Al<sub>0.3</sub>Ga<sub>0.7</sub>As/GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究
物理学报
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物理学报  1994, Vol. 43 Issue (8): 1311-1317
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1MeV Si+衬底加温注入Al0.3Ga0.7As/GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究
赵清太1, 王忠烈1, 李岱青2, 宫宝安2, 万亚2, 穆善明3, 朱沛然4, 周俊思4, 徐天冰4
(1)北京大学微电子研究所; (2)烟台师范学院物理系; (3)中国科学院半导体研究所; (4)中国科学院物理研究所离子束实验室
STUDIES OF LATTICE DAMAGE CAUSED BY 1MeV Si+ IMPLANTATION INTO Al0.3Ga0.7As/GaAs SUPERLATTICES AND GaAs AT ELEVATED SUBSTRATE TEMPERATURE
ZHAO QING-TAI1, WANG ZHONG-LIE1, LI DAI-QING2, GONG BAO-AN2, WAN YA2, MU SHAN-MING3, ZHU PEI-RAN4, ZHOU JUN-SI4, XU TIAN-BING4
(1)北京大学微电子研究所; (2)烟台师范学院物理系; (3)中国科学院半导体研究所; (4)中国科学院物理研究所离子束实验室

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