不同散射机理对 Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/In<sub><em>x</em></sub>Ga<sub>1-<em>x</em></sub>As nMOSFET 反型沟道电子迁移率的影响
物理学报
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物理学报  2013, Vol. 62 Issue (15): 157201     doi:10.7498/aps.62.157201
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不同散射机理对 Al2O3/InxGa1-xAs nMOSFET 反型沟道电子迁移率的影响
黄苑, 徐静平, 汪礼胜, 朱述炎
华中科技大学, 光学与电子信息学院, 武汉 430074
Effects of different scattering mechanisms on inversion-channel electron mobility in Al2O3/InxGa1-xAs nMOSFET
Huang Yuan, Xu Jing-Ping, Wang Li-Sheng, Zhu Shu-Yan
School of optical and electronic information, Huazhong University of Science & Technology, Wuhan 430074, China

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