原子层沉积Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/n-GaN MOS结构的电容特性
物理学报
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物理学报  2013, Vol. 62 Issue (19): 197203     doi:10.7498/aps.62.197203
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原子层沉积Al2O3/n-GaN MOS结构的电容特性
闫大为, 李丽莎, 焦晋平, 黄红娟, 任舰, 顾晓峰
轻工过程先进控制教育部重点实验室, 江南大学电子工程系, 无锡 214122
Capacitance characteristics of atomic layer deposited Al2O3/n-GaN MOS structure
Yan Da-Wei, Li Li-Sha, Jiao Jin-Ping, Huang Hong-Juan, Ren Jian, Gu Xiao-Feng
Key Laboratory of Advanced Process Control for Light Industry (Ministry of Education), Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, China

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