22 nm工艺超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应研究
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物理学报  2013, Vol. 62 Issue (20): 208501     doi:10.7498/aps.62.208501
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22 nm工艺超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应研究
毕津顺, 刘刚, 罗家俊, 韩郑生
中国科学院微电子研究所, 北京 100029
Numerical simulation of single-event-transient effects on ultra-thin-body fully-depleted silicon-on-insulator transistor based on 22 nm process node
Bi Jin-Shun, Liu Gang, Luo Jia-Jun, Han Zheng-Sheng
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China

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