1 eV吸收带边GaInAs/GaNAs超晶格太阳能电池的阱层设计
物理学报
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物理学报  2013, Vol. 62 Issue (21): 218801     doi:10.7498/aps.62.218801
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1 eV吸收带边GaInAs/GaNAs超晶格太阳能电池的阱层设计
王海啸1 2, 郑新和1, 吴渊渊1 2, 甘兴源1 2, 王乃明1, 杨辉1
1. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 纳米器件与应用重点实验室, 苏州 215123;
2. 中国科学院大学, 北京 100080
Well layer design for 1eV absorption band edge of GaInAs/GaNAs super-lattice solar cell
Wang Hai-Xiao1 2, Zheng Xin-He1, Wu Yuan-Yuan1 2, Gan Xing-Yuan1 2, Wang Nai-Ming1, Yang Hui1
1. Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China;
2. University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China

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