非晶硅界面缓冲层对非晶硅锗电池性能的影响
物理学报
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物理学报  2013, Vol. 62 Issue (24): 248801     doi:10.7498/aps.62.248801
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非晶硅界面缓冲层对非晶硅锗电池性能的影响
刘伯飞, 白立沙, 张德坤, 魏长春, 孙建, 侯国付, 赵颖, 张晓丹
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所, 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室, 光电信息技术科学教育部重点实验室, 天津 300071
Effect of a-Si:H interface buffer layer on the performance of hydrogenated amorphous silicon germanium thin film solar cell
Liu Bo-Fei, Bai Li-Sha, Zhang De-Kun, Wei Chang-Chun, Sun Jian, Hou Guo-Fu, Zhao Ying, Zhang Xiao-Dan
Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology, Key Laboratory of Optoelectronic Information Technology of Ministry of Education, Institute of Photo Electronics Thin Film Devices and Technology of Nankai University, Tianjin 300071, China

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