应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管电荷模型
物理学报
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物理学报  2014, Vol. 63 Issue (1): 017101     doi:10.7498/aps.63.017101
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应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管电荷模型
周春宇1, 张鹤鸣1, 胡辉勇1, 庄奕琪1, 吕懿1, 王斌1, 王冠宇2
1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071;
2. 重庆邮电大学光电工程学院, 重庆 400065
Charge model of strained Si NMOSFET
Zhou Chun-Yu1, Zhang He-Ming1, Hu Hui-Yong1, Zhuang Yi-Qi1, Lü Yi1, Wang Bin1, Wang Guan-Yu2
1. Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China;
2. College of Electronic Engineering, ChongQing University of Posts and Telecommunications, Chongqing 400065, China

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