总剂量辐照下沟道长度对部分耗尽绝缘体上硅p型场效应晶体管电特性的影响
物理学报
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物理学报  2014, Vol. 63 Issue (1): 016102     doi:10.7498/aps.63.016102
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总剂量辐照下沟道长度对部分耗尽绝缘体上硅p型场效应晶体管电特性的影响
刘红侠, 王志, 卓青青, 王倩琼
西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
Influence of channel length on PD SOI PMOS devices under total dose irradiation
Liu Hong-Xia, Wang Zhi, Zhuo Qing-Qing, Wang Qian-Qiong
Key Laboratory of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Material and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China

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