MBE和MOCVD生长的AIGaAs/GaAs GRIN—SCH SQW激光器深中心的比较
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物理学报  1995, Vol. 44 Issue (8): 1249-1255
凝聚物质:结构、热学和力学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
MBE和MOCVD生长的AIGaAs/GaAs GRIN—SCH SQW激光器深中心的比较
卢励吾1, 周洁1, 封松林1, 杨辉2, 徐俊英3
(1)半导体超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所,北京100083; (2)国家光电子工艺中心,中国科学院半导体研究所北京100083; (3)集成光电子学联合实验室半导体研究所实验区,中国科学院半导体研究所,北京100083
Lu Li-Wu1, Zhou Jie1, Feng Song-Lin1, Yang Hui2, Xu Jun-Ying3
(1)半导体超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所,北京100083; (2)国家光电子工艺中心,中国科学院半导体研究所北京100083; (3)集成光电子学联合实验室半导体研究所实验区,中国科学院半导体研究所,北京100083

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