4H-SiC同质外延生长Grove模型研究
物理学报
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物理学报  2014, Vol. 63 Issue (3): 037102     doi:10.7498/aps.63.037102
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4H-SiC同质外延生长Grove模型研究
贾仁需1, 刘思成1, 许翰迪1, 陈峥涛1, 汤晓燕1, 杨霏2, 钮应喜2
1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体技术国防重点学科试验室, 西安 710071;
2. 国网智能电网研究院, 北京 100192
Study on Grove model of the 4H-SiC homoepitaxial growth
Jia Ren-Xu1, Liu Si-Cheng1, Xu Han-Di1, Chen Zheng-Tao1, Tang Xiao-Yan1, Yang Fei2, Niu Ying-Xi2
1. School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China;
2. State grid smart grid research institute, Beijing 100192, China

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