电极间距对μc-Si<sub>1-<i>x</i></sub>Ge<sub><i>x</i></sub>:H薄膜结构特性的影响
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物理学报  2014, Vol. 63 Issue (7): 076801     doi:10.7498/aps.63.076801
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电极间距对μc-Si1-xGex:H薄膜结构特性的影响
曹宇1 2, 张建军2, 严干贵1, 倪牮2, 李天微2, 黄振华2, 赵颖2
1. 东北电力大学电气工程学院, 吉林 132012;
2. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所, 光电信息技术科学教育部重点实验室, 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室, 天津 300071
Influences of electrode separation on structural properties of μc-Si1-xGex:H thin films
Cao Yu1 2, Zhang Jian-Jun2, Yan Gan-Gui1, Ni Jian2, Li Tian-Wei2, Huang Zhen-Hua2, Zhao Ying2
1. Electrical Engineering College, Northeast Dianli University, Jilin 132012, China;
2. Institute of Photo-electronic Thin Film Devices and Technique of Nankai University, Key Laboratory of Photo-electronics Thin Film Devices and Technique of Tianjin, Key Laboratory of Optoelectronics Information Science and Technology,Chinese Ministry of Education, Tianjin 300071, China

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