La, Ce, Nd掺杂对单层MoS<sub>2</sub>电子结构的影响
物理学报
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物理学报  2014, Vol. 63 Issue (6): 067301     doi:10.7498/aps.63.067301
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La, Ce, Nd掺杂对单层MoS2电子结构的影响
雷天民1, 吴胜宝1, 张玉明2, 郭辉2, 陈德林1, 张志勇3
1. 西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院, 西安 710071;
2. 西安电子科技大学微电子学院, 西安 710071;
3. 西北大学信息科学与技术学院, 西安 710069
Effects of La, Ce and Nd doping on the electronic structure of monolayer MoS2
Lei Tian-Min1, Wu Sheng-Bao1, Zhang Yu-Ming2, Guo Hui2, Chen De-Lin1, Zhang Zhi-Yong3
1. School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710071, China;
2. School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China;
3. School of Information Technology, Northwest University, Xi’an 710069, China

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