注氮GaAs中的深能级及其对自由载流子的补偿
物理学报
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物理学报  1996, Vol. 45 Issue (3): 491-498
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
注氮GaAs中的深能级及其对自由载流子的补偿
陈开茅1, 金泗轩1, 贾勇强1, 刘鸿飞2, 邱素娟3, 吕云安3, 何梅芬3
(1)北京大学物理系,北京100871; (2)北京有色金属研究总院,北京100088; (3)电子工业部13所,石家庄050051
DEEP LEVELS AND FREE-CARRIER COMPENSATION IN NITROGEN-IMPLANTED GaAs
CHEN KAI-MAO1, JIN SI-XUAN1, JIA YONG-QIANG1, LIU HONG-FEI2, QIU SU-JUAN3, LU YU-NAN3, HE MEI-FEN3
(1)北京大学物理系,北京100871; (2)北京有色金属研究总院,北京100088; (3)电子工业部13所,石家庄050051

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