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| PCDTBT作为发光层的有机电致发光器件研究 |
| 陈海涛, 徐征, 赵谡玲, 赵玲, 刘志民, 高松, 杨一帆, 刘志方, 申崇渝, 徐叙瑢 |
北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室, 北京 100044;
北京交通大学光电子技术研究所, 北京 100044 |
| Organic light-emitting devices based on PCDTBT as emitting layer |
| Chen Hai-Tao, Xu Zheng, Zhao Su-Ling, Zhao Ling, Liu Zhi-Min, Gao Song, Yang Yi-Fan, Liu Zhi-Fang, Shen Chong-Yu, Xu Xu-Rong |
Key Laboratory of Luminescence and Optical Information (Beijing Jiaotong University), Ministry of Education, Beijing 100044, China;
Institute of Optoelectronics Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China |
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摘要： 使用PCDTBT作为发光层材料，制备了发光波长为705 nm的红色有机电致发光器件，其结构为ITO/PEDOT：PSS/PCDTBT/BCP/LiF/Al. 器件启亮电压为2 V，在9 V时器件达到最高亮度，为29000 cd/m2，最大电流效率为3.5 cd/A. 还研究了不同退火温度对器件发光性能的影响. 实验结果表明，退火温度为50℃时器件的性能最佳，其原因是此时既有利于溶剂挥发，又保持了分子结构的稳定性，而高温退火降低了PCDTBT的π-π堆积的有序性，从而使得器件性能下降.
关键词：
有机电致发光
PCDTBT
退火
π-π堆积
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Abstract： Here we report a red organic electroluminescent device (OLED) with an emission wavelength at 705 nm in which PCDTBT is used as an emitting layer with the structure ITO/PEDOT:PSS/PCDTBT/BCP/LiF/Al. The device shows good performances such as an onset voltage of 2 V, a maximum brightness of 29000 cd/m2 at 9 V and a maximum current efficiency of 3.5 cd/A. The effects of annealing on the luminescent property of the device are studied at different temperatures. The experimental results suggest that the device presents the best performance at an annealing temperature of 50℃, then the performance decreases with annealing temperature increasing. We find that relatively low temperature annealing is beneficial to the solvent evaporation, and the high temperature annealing is conducible to reducing the coherence length of the π-π stacking, which results in the degradation of the performance of the device.
Keywords：
organic electroluminescence
PCDTBT
annealing
π-π stacking
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收稿日期: 2014-03-04
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| PACS: |
78.60.Fi
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(Electroluminescence)
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81.40.Ef
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(Cold working, work hardening; annealing, post-deformation annealing, quenching, tempering recovery, and crystallization)
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| 基金: 国家重点基础研究发展计划（批准号：2010CB327704）、教育部博士点基金（批准号：20130009130001，20120009130005）、国家自然科学基金（批准号：51272022）、教育部新世纪优秀人才支持计划（批准号：NCET-10-0220）和中央高等学校基本科研基金（批准号：2012JBZ001）资助的课题. |
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