SiO<sub><em>x</em></sub>(<em>x</em>=1.3)薄膜的优化阻变特性与退火温度的关系探究
物理学报
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物理学报  2014, Vol. 63 Issue (16): 167201     doi:10.7498/aps.63.167201
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SiOxx=1.3)薄膜的优化阻变特性与退火温度的关系探究
任圣, 马忠元, 江小帆, 王越飞, 夏国银, 陈坤基, 黄信凡, 徐骏, 徐岭, 李伟, 冯端
南京大学电子科学与工程学院, 固体微结构物理国家重点实验室, 南京 210093
Dependence of annealing temperatures on the optimized resistive switching behavior from SiOx (x=1.3) films
Ren Sheng, Ma Zhong-Yuan, Jiang Xiao-Fan, Wang Yue-Fei, Xia Guo-Yin, Chen Kun-Ji, Huang Xin-Fan, Xu Jun, Xu Ling, Li Wei, Feng Duan
National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China

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