He离子辐照6H-SiC引入缺陷的光谱研究
物理学报
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物理学报  2014, Vol. 63 Issue (21): 216101     doi:10.7498/aps.63.216101
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He离子辐照6H-SiC引入缺陷的光谱研究
杜洋洋1 2, 李炳生1, 王志光1, 孙建荣1, 姚存峰1, 常海龙1, 庞立龙1, 朱亚滨1, 崔明焕1 2, 张宏鹏1, 李远飞1, 王霁1 2, 朱卉平1 2, 宋鹏1 2, 王栋1 2
1. 中国科学院近代物理研究所, 兰州 730000;
2. 中国科学院大学, 北京 100049
Spectra study of He-irradiation induced defects in 6H-SiC
Du Yang-Yang1 2, Li Bing-Sheng1, Wang Zhi-Guang1, Sun Jian-Rong1, Yao Cun-Feng1, Chang Hai-Long1, Pang Li-Long1, Zhu Ya-Bin1, Cui Ming-Huan1 2, Zhang Hong-Peng1, Li Yuan-Fei1, Wang Ji1 2, Zhu Hui-Ping1 2, Song Peng1 2, Wang Dong1 2
1. Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China;
2. University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China

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