金刚石表面无定形碳氢薄膜生长的分子动力学模拟

张传国; 杨勇; 郝汀; 张铭

doi:10.7498/aps.64.018102

摘要

利用分子动力学模拟方法研究了CH2基团轰击金刚石(111)面所形成的无定形碳氢薄膜(a-C:H)的生长过程. 结构分析表明, 得到的无定形碳氢薄膜中碳原子的局域结构(如CC第一近邻数)与其中氢原子的含量密切相关. CH2 基团入射能量的增加会导致得到的薄膜的氢含量降低, 从而改变薄膜中类sp3成键碳原子的比例.

关键词:

The growth of thin amorphous hydrogenated carbon films (a-C:H) on diamond (111) surface from the bombardment of CH2 radicals is studied using molecular dynamics simulations. Structural analysis shows that the local structure (e.g., the first coordination number of C atoms) of a-C:H depends critically on the content of hydrogen. The increase in kinetic energy of incident radicals leads to the decrease of hydrogen content, which subsequently changes the proportion of sp3 bonded C atoms in a-C:H.

Keywords:

作者及机构信息

1.
中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验室, 合肥 230031;

2.
北京工业大学材料科学与工程学院, 北京 100124

基金项目: 国家重大专项与北京工业大学先进技术基金资助的课题.

Authors and contacts

1.
Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China;

2.
The College of Materials Science and Engineering, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China

Funds: Project supported by the National Major Project and Advance Technology Fund of Beijing University of Technology.

参考文献

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