<i>γ</i>射线总剂量辐照效应对应变Sip型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压与跨导的影响研究
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2014, Vol. 63 Issue (23): 236102     doi:10.7498/aps.63.236102
凝聚物质:结构、力学和热学性质 当期目录| 过刊浏览| 高级检索     
γ射线总剂量辐照效应对应变Sip型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压与跨导的影响研究
胡辉勇, 刘翔宇, 连永昌, 张鹤鸣, 宋建军, 宣荣喜, 舒斌
西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071
Study on the influence of γ -ray total dose radiation effect on the threshold voltage and transconductance of the strained Si p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
Hu Hui-Yong, Liu Xiang-Yu, Lian Yong-Chang, Zhang He-Ming, Song Jian-Jun, Xuan Rong-Xi, Shu Bin
Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn