物理学报
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物理学报  2015, Vol. 64 Issue (16): .      DOI: 10.7498/aps.64.168501
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溶胶凝胶法制备以HfO2为绝缘层和ZITO为有源层的高迁移率薄膜晶体管
朱乐永1 2, 高娅娜2, 张建华2, 李喜峰2
1. 上海大学材料科学与工程学院, 上海 200072;
2. 上海大学, 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室, 上海 200072
High mobility thin-film transistor with solution-processed hafnium-oxide dielectric and zinc-indium-tin-oxide semiconductor
Zhu Le-Yong1 2, Gao Ya-Na2, Zhang Jian-Hua2, Li Xi-Feng2
1. School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200072, China;
2. Key Laboratory of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education, Shanghai University, Shanghai 200072, China


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