物理学报
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物理学报  2015, Vol. 64 Issue (19): .      DOI: 10.7498/aps.64.198101
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基于FTO/VO2/FTO结构的VO2薄膜电压诱导相变光调制特性
郝如龙1, 李毅1 2, 刘飞1, 孙瑶1, 唐佳茵1, 陈培祖1, 蒋蔚1, 伍征义1, 徐婷婷1, 方宝英1, 王晓华1 3, 肖寒1
1. 上海理工大学光电信息与计算机工程学院, 上海 200093;
2. 上海市现代光学系统重点实验室, 上海 200093;
3. 上海电力学院电子与信息工程学院, 上海 200090
Optical modulation characteristics of VO2 thin film due to electric field induced phase transition in the FTO/VO2/FTO structure
Hao Ru-Long1, Li Yi1 2, Liu Fei1, Sun Yao1, Tang Jia-Yin1, Chen Pei-Zu1, Jiang Wei1, Wu Zheng-Yi1, Xu Ting-Ting1, Fang Bao-Ying1, Wang Xiao-Hua1 3, Xiao Han1
1. School of Optical-Electrical and Computer Engineering, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, China;
2. Shanghai Key Laboratory of Modern Optical Systems, Shanghai 200093, China;
3. Department of Electronic and Information Engineering, Shanghai University of Electric Power, Shanghai 200090, China


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