物理学报
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物理学报  2015, Vol. 64 Issue (19): .      DOI: 10.7498/aps.64.197301
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 最新目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索 |
单轴应变SiNMOSFET源漏电流特性模型
吕懿1, 张鹤鸣1, 胡辉勇1, 杨晋勇2, 殷树娟3, 周春宇1
1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071;
2. 北京精密机电控制设备研究所, 北京 100076;
3. 北京信息科技大学理学院, 北京 100192
A Model of channel current for uniaxially strained Si NMOSFET
Lü Yi1, Zhang He-Ming1, Hu Hui-Yong1, Yang Jin-Yong2, Yin Shu-Juan3, Zhou Chun-Yu1
1. Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China;
2. Beijing Research Institute of Precise Mechatronic Controls, Beijing 100076, China;
3. College of Science, Beijing Information Science and Technology University, Beijing 100192, China


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