物理学报
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物理学报  2016, Vol. 65 Issue (1): 016802    DOI: 10.7498/aps.65.016802
凝聚物质:结构、力学和热学性质 最新目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索 |
掺Fe高阻GaN缓冲层特性及其对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件的影响研究
王凯1, 邢艳辉1, 韩军1, 赵康康1, 郭立建1, 于保宁1, 邓旭光2, 范亚明2, 张宝顺2
1. 北京工业大学电子信息与控制工程学院, 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124;
2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 纳米器件与应用重点实验室, 苏州 215123
Growths of Fe-doped GaN high-resistivity buffer layers for AlGaN/GaN high electron mobility transistor devices
Wang Kai1, Xing Yan-Hui1, Han Jun1, Zhao Kang-Kang1, Guo Li-Jian1, Yu Bao-Ning1, Deng Xu-Guang2, Fan Ya-Ming2, Zhang Bao-Shun2
1. Key Laboratory of Opto-electronics Technology, Ministry of Education, College of Electronic Information and Control Engineering, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China;
2. Key Laboratory of Nano Devices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Technology and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China


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