物理学报
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物理学报  2016, Vol. 65 Issue (2): 024212    DOI: 10.7498/aps.65.024212
电磁学、光学、声学、传热学、经典力学和流体动力学 最新目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索 |
基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究
王帆1 2, 李豫东1, 郭旗1, 汪波1 2, 张兴尧1, 文林1, 何承发1
1. 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室; 新疆电子信息材料与器件重点实验室; 中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011;
2. 中国科学院大学, 北京 100049
Total ionizing dose radiation effects in foue-transistor complementary metal oxide semiconductor image sensors
Wang Fan1 2, Li Yu-Dong1, Guo Qi1, Wang Bo1 2, Zhang Xing-Yao1, Wen Lin1, He Cheng-Fa1
1. Key Laboratory of Functional Materials and Devices under Special Environments, CAS.; Xinjiang Key Laboratory of Electric Information Materials and Devices; Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry, CAS., Urumqi 830011, China;
2. Graduate University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China


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