物理学报
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物理学报  2016, Vol. 65 Issue (3): 038402    DOI: 10.7498/aps.65.038402
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GaN高电子迁移率晶体管强电磁脉冲损伤效应与机理
刘阳1, 柴常春1, 于新海1, 樊庆扬1, 杨银堂1, 席晓文1, 刘胜北2
1. 西安电子科技大学微电子学院, 教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071;
2. 中国科学院半导体研究所, 北京 100083
Damage effects and mechanism of the GaN high electron mobility transistor caused by high electromagnetic pulse
Liu Yang1, Chai Chang-Chun1, Yu Xin-Hai1, Fan Qing-Yang1, Yang Yin-Tang1, Xi Xiao-Wen1, Liu Sheng-Bei2
1. Ministry of Education Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi'an 710071, China;
2. Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China


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