赝形InGaAs/InAlAs渐变异质结中的零磁场自旋分裂
物理学报
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物理学报  1999, Vol. 48 Issue (1): 121-126
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
赝形InGaAs/InAlAs渐变异质结中的零磁场自旋分裂
桂永胜1, 郑国珍1, 郭少令1, 褚君浩1, 汤定元1, 陈建新2, 李爱珍2
(1)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083; (2)中国科学院上海冶金研究所功能材料国家重点实验室,上海 200050
SPIN SPLITTING IN PSEUDOMORPHIC InGaAs/InAlAs GRADED HETEROSTRUCTURES AS B→0
GUI YONG-SHENG1, ZHENG GUO-ZHEN1, GUO SHAO-LING1, CHU JUN-HAO1, TANG DING-YUAN1, CHEN JIAN-XIN2, LI AI-ZHENG2
(1)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083; (2)中国科学院上海冶金研究所功能材料国家重点实验室,上海 200050

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