物理学报
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物理学报  2017, Vol. 66 Issue (7): .      DOI: 10.7498/aps.66.078401
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外界条件在电磁脉冲对GaAs赝高电子迁移率晶体管损伤过程中的影响
席晓文, 柴常春, 刘阳, 杨银堂, 樊庆扬
西安电子科技大学微电子学院, 教育部宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室, 西安 710071
Influence of the external condition on the damage process of the GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor induced by the electromagnetic pulse
Xi Xiao-Wen, Chai Chang-Chun, Liu Yang, Yang Yin-Tang, Fan Qing-Yang
Ministry of Education Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi'an 710071, China


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