物理学报
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物理学报  2018, Vol. 67 Issue (6): .      DOI: 10.7498/aps.67.20172459
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过渡金属元素X(X=Mn,Fe,Co,Ni)掺杂对ZnO基阻变存储器性能的影响
郭家俊, 董静雨, 康鑫, 陈伟, 赵旭
河北师范大学物理科学与信息工程学院, 河北省新型薄膜材料实验室, 石家庄 050024
Effect of transition metal element X (X=Mn, Fe, Co, and Ni) doping on performance of ZnO resistive memory
Guo Jia-Jun, Dong Jing-Yu, Kang Xin, Chen Wei, Zhao Xu
Key Laboratory of Advanced Films of Hebei Province, College of Physics Science and Information Engineering, Hebei Normal University, Shijiazhuang 050024, China


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