不同组分In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的影响
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物理学报  2000, Vol. 49 Issue (11): 2230-2234
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不同组分InxGa1-xAs(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的影响
王晓东1, 牛智川1, 封松林1, 刘会赟2
(1)中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京 100083; (2)中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京 100083
STUDY OF SELF-ASSEMBLED InAs QUANTUM DOT STRUCTURE COVERED BY InxGa1-xAs(0≤x≤0.3) CAPPING LAYER
WANG XIAO-DONG1, NIU ZHI-CHUAN1, FENG SONG-LIN1, LIU HUI-YUN2
(1)中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京 100083; (2)中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京 100083

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