物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2018, Vol. 67 Issue (17): .      DOI: 10.7498/aps.67.20180474
物理学交叉学科及有关科学技术领域 最新目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索 |
基于脉冲方法的超短栅长GaN基高电子迁移率晶体管陷阱效应机理
周幸叶, 吕元杰, 谭鑫, 王元刚, 宋旭波, 何泽召, 张志荣, 刘庆彬, 韩婷婷, 房玉龙, 冯志红
河北半导体研究所, 专用集成电路国家级重点实验室, 石家庄 050051
Mechanisms of trapping effects in short-gate GaN-based high electron mobility transistors with pulsed I-V measurement
Zhou Xing-Ye, Lv Yuan-Jie, Tan Xin, Wang Yuan-Gang, Song Xu-Bo, He Ze-Zhao, Zhang Zhi-Rong, Liu Qing-Bin, Han Ting-Ting, Fang Yu-Long, Feng Zhi-Hong
National Key Laboratory of ASIC, Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang 050051, China


版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn