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55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的γ射线和X射线电离总剂量效应研究

曹杨 习凯 徐彦楠 李梅 李博 毕津顺 刘明

引用本文:
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55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的γ射线和X射线电离总剂量效应研究

曹杨, 习凯, 徐彦楠, 李梅, 李博, 毕津顺, 刘明

Total ionizing dose effects of γ and X-rays on 55 nm silicon-oxide-nitride-oxide-silicon single flash memory cell

Cao Yang, Xi Kai, Xu Yan-Nan, Li Mei, Li Bo, Bi Jin-Shun, Liu Ming
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出版历程
  • 收稿日期:  2018-09-05
  • 修回日期:  2018-12-18
  • 上网日期:  2019-02-01
  • 刊出日期:  2019-02-05

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