物理学报
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物理学报  2019, Vol. 68 Issue (3): .      DOI: 10.7498/aps.68.20181661
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55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的γ射线和X射线电离总剂量效应研究
曹杨1, 习凯2, 徐彦楠1,2, 李梅2, 李博2, 毕津顺1,2, 刘明2
1. 中国科学院大学, 北京 100049;
2. 中国科学院微电子研究所, 北京 100029
Total ionizing dose effects of γ and X-rays on 55 nm silicon-oxide-nitride-oxide-silicon single flash memory cell
Cao Yang1, Xi Kai2, Xu Yan-Nan1,2, Li Mei2, Li Bo2, Bi Jin-Shun1,2, Liu Ming2
1. University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China;
2. Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China


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