物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2019, Vol. 68 Issue (7): .      DOI: 10.7498/aps.68.20181845
综述 最新目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索 |
超宽禁带半导体β-Ga2O3及深紫外透明电极、日盲探测器的研究进展
郭道友1, 李培刚2,3, 陈政委2, 吴真平2, 唐为华2,3
1. 浙江理工大学物理系, 光电材料与器件中心, 杭州 310018;
2. 北京邮电大学理学院, 信息功能材料与器件实验室, 北京 100876;
3. 北京邮电大学, 信息光子学与光通信国家重点实验室, 北京 100876
Ultra-wide bandgap semiconductor of β-Ga2O3 and its research progress of deep ultraviolet transparent electrode and solar-blind photodetector
Guo Dao-You1, Li Pei-Gang2,3, Chen Zheng-Wei2, Wu Zhen-Ping2, Tang Wei-Hua2,3
1. Center for Optoelectronics Materials and Devices, Department of Physics, Zhejiang Sci-Tech University, Hangzhou 310018, China;
2. Laboratory of Information Functional Materials and Devices, School of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China;
3. State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China


版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn