物理学报
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物理学报  2019, Vol. 68 Issue (10): .      DOI: 10.7498/aps.68.20190067
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MoO3/Si界面区钼掺杂非晶氧化硅层形成的第一性原理研究
陈东运, 高明, 李拥华, 徐飞, 赵磊, 马忠权
上海大学理学院物理系, 索朗光伏材料与器件R&D联合实验室, 上海 200444
First principle study of formation mechanism of molybdenum-doped amorphous silica in MoO3/Si interface
Chen Dong-Yun, Gao Ming, Li Yong-Hua, Xu Fei, Zhao Lei, Ma Zhong-Quan
SHU-SOEN's R&D Lab, Department of Physics, College of Sciences, Shanghai University, Shanghai 200444, China


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