物理学报
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物理学报  2019, Vol. 68 Issue (12): .      DOI: 10.7498/aps.68.20190258
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基于N型纳米晶硅氧电子注入层的钙钛矿发光二极管
黄伟1,2,3,4, 李跃龙1,2,3,4, 任慧志1,2,3,4, 王鹏阳1,2,3,4, 魏长春1,2,3,4, 侯国付1,2,3,4, 张德坤1,2,3,4, 许盛之1,2,3,4, 王广才1,2,3,4, 赵颖1,2,3,4, 袁明鉴5, 张晓丹1,2,3,4
1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所, 天津 300350;
2. 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室, 天津 300350;
3. 薄膜光电子技术教育部工程研究中心, 天津 300350;
4. 天津市中欧太阳能光伏发电技术联合研究中心, 天津 300350;
5. 南开大学化学学院, 天津 300071
Perovskite light-emitting diodes based on n-type nanocrystalline silicon oxide electron injection layer
Huang Wei1,2,3,4, Li Yue-Long1,2,3,4, Ren Hui-Zhi1,2,3,4, Wang Peng-Yang1,2,3,4, Wei Chang-Chun1,2,3,4, Hou Guo-Fu1,2,3,4, Zhang De-Kun1,2,3,4, Xu Sheng-Zhi1,2,3,4, Wang Guang-Cai1,2,3,4, Zhao Ying1,2,3,4, Yuan Ming-Jian5, Zhang Xiao-Dan1,2,3,4
1. Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, Nankai University, Tianjin 300350, China;
2. Key Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin, Tianjin 300350, China;
3. Engineering Center of Thin Film Photoelectronic Technology of Ministry of Education, Tianjin 300350, China;
4. Sino-Euro Joint Research Center for Photovoltaic Power Generation of Tianjin, Tianjin 300350, China;
5. Department of Chemistry, Nankai University, Tianjin 300071, China


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