金属-绝缘体-半导体(Au-SiO<sub>2</sub>-Si)隧道结的负阻现象与发光特性
物理学报
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物理学报  2000, Vol. 49 Issue (6): 1159-1162
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
金属-绝缘体-半导体(Au-SiO2-Si)隧道结的负阻现象与发光特性
王茂祥1, 俞建华1, 孙承休1, 吴宗汉2
(1)东南大学电子工程系,南京 210096; (2)东南大学物理系,南京 210096
NEGATIVE RESISTANCE PHENOMENON AND LIGHT EMISSION PROPERTY OF THE METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR (Au-SiO2-Si) TUNNEL JUNCTION
WANG MAO-XIANG1, YU JIAN-HUA1, SUN CHENG-XIU1, WU ZONG-HAN2
(1)东南大学电子工程系,南京 210096; (2)东南大学物理系,南京 210096

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