搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

共溅射和离子注入制备的SiO2(Eu)薄膜中Eu3+到Eu2+的转变

刘丰珍 朱美芳 刘涛 李秉程

引用本文:
Citation:

共溅射和离子注入制备的SiO2(Eu)薄膜中Eu3+到Eu2+的转变

刘丰珍, 朱美芳, 刘涛, 李秉程

THE TRANSITION FROM Eu3+TO Eu2+ IN SiO2(Eu) THIN FILMS PREPARED BY ION IMPLANTATION AND CO-SPUTTERING

LIU FENG-ZHEN, ZHU MEI-FANG, LIU TAO, LI BING-CHENG
PDF
导出引用
  • 采用共溅射方法和Eu离子注入热生长的SiO2方法得到SiO2(Eu)薄膜,Eu离子的浓度为4%和0.5%.对样品X射线吸收近边结构(XANES)的研究和分析表明,在高温氮气中发生了Eu3+向Eu2+的转变.SiO2(Eu)薄膜高温氮气退火下蓝光的发射证明了这一结论
    Eu ions doped SiO2 thin films, SiO2(Eu), were prepared by co-sputtering of SiO2 and Eu2O3 and Eu ion implantation into thermally grown SiO2 films. The Eu-L3-edge X-ray absorption near edge structure (XANES) spectra of SiO2(Eu) films show a doublet absorption peak structure with energy difference of 7 eV, which indicates the conversion of Eu3+ to Eu2+ at-high annealing temperature in N2. The strong blue luminescence of SiO2(Eu) films prepared by ions implantation after films annealed above 1100 ℃ confirms the above argument.
计量
  • 文章访问数:  7085
  • PDF下载量:  600
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2000-07-18
  • 修回日期:  2000-10-13
  • 刊出日期:  2001-03-20

/

返回文章
返回